黑料传送门

• Rainer Michalzik: Advanced Short-Wavelength Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for Optical Interconnection, July 2008, Scienti铿乧 presentation on E铿儂iente LEDs (E铿僣ient LEDs), February 2009
• Markus Kamp. GaN-based Light Emitters 鈥� Epitaxy, Technology, and Devices, 2001

2017

• Junjun Wang: "Three-dimensional InGaN/GaN based Light Emitters with Reduced Piezoelectric Field"
• Marian Caliebe: "Metallorganische und Hydridgasphasenepitaxie von semipolaren (1122)-orientierten GaN-Schichten auf vorstrukturierten Saphir-Substraten"
• Robert Leute: "GaN-Nanostreifen f眉r LED- und Laseranwendungen"

2016

• Tobias Meisch: Untersuchungen von semipolarem (In)GaN auf strukturierten Saphirsubstraten f眉r e铿儂iente gr眉ne Leuchtdioden

2015

• Jan-Philipp Ahl: Growth and analysis of blue LEDs comprising quaternary AlInGaN
• Dietmar Grimm n茅 Wahl: MBE-Wachstum und Charakterisierung anwendungsspezi铿乻cher vertikal emittierender Laserdioden
• Benedikt Westenfelder: Elektrische in-situ-TEM-Untersuchungen an Graphen

2014

• Ahmed Al-Samaneh: VCSELs for Cesium-Based Miniaturized Atomic Clocks
• Anna Bergmann: Optische Partikelmanipulation in mikro铿倁idischen Kan盲len mit Hilfe integrierter VCSEL-basierter optischer Fallen
• Mohamed Fikry: Epitaxial Growth and Characterization of Coaxial GaN/InGaN/GaN Nano-Structures
• Alexander Kern: Monolithically Integrated Transceiver Chips for Bidirectional Optical Data Transmission,
• Dario Schiavon: Analysis of the Green Gap Problem in III-Nitride LEDs

2013

• Hendrik Roscher: Surface-Mount Vertical-Cavity Laser Diodes for Cost-Sensitive High-Speed Applications

2012

• Frank Lipski: Hydrid-Gasphasen-Epitaxie zur Herstellung von GaN-Substraten geringer Kr眉mmung
• Kamran Forghani: Growth of AIGaN Heterostructures for UV LED Applications

2011

• Stephan Ulrich Schwaiger: Gasphasenepitaxie und Eigenschaften von nicht- und Semipolarem GaN
• Ihab Kardosh: Verbesserung der Emissionseigenschaften substratseitig emittierender Vertikallaserdioden

2010

• Abdel-Sattar Gadallah: Advancements in VCSEL Technology: Transverse Mode Control and Matrix-Addressable 2-D Arrays
• Sarad Bahadur Thapa: Studies on AlN grown by MOVPE for Electronic and Optoelectronic Applications
• Thomas Wunderer: Dreidimensionale Licht emittierende GaInN/GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld
• Andrea Kroner: VCSEL-Based Optical Trapping Systems for Micro铿倁idic Applications

2009

• Joachim Hertkorn: Verbesserung der lateralen Stromf眉hrung in hoche铿儂ienten Halbleiterlichtquellen

2008

• Frank Demaria: Schicht- und Resonatordesign von Halbleiterscheibenlasern,
• Fernando Rinaldi: MBE Growth and Characterization of Multilayer Structures for Vertically Emitting Laser Devices
• Daniel Supper: Neuartige hybride 1300 nm VCSEL f眉r die optische 脺bertragungstechnik
• Barbara Monika Neubert: GaInN/GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
• Peter Br眉ckner: Herstellung freistehender Galliumnitrid-Schichten

2007

• Tony Albrecht: Optisch gepumpte Halbleiter鈥揝cheibenlaser mit monolitisch integriertem Pumplaser
• Philipp Hennig Gerlach: Monolithisch integrierte absorptionsmodulierte Laserdioden mit Metallgittern
• Michael Furitsch: Untersuchung von Degradationsmechanismen an (Al/In)GaN-basierenden Laserdioden
• Johannes Michael Ostermann: Di铿�ractive Optics for Polarization Control of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers

2006

• Martin Peschke: Laser Diodes Integrated with Electroabsorption Modulators for 40 Gb/s Data Transmission
• Brem Kumar Saravanan: Frequency Chirping Properties of Electroabsorption Modulators Integrated with Laser Diodes
• Frank Habel: Methoden zur Defektreduktion von Galliumnitrid-Substraten und -Quasisubstraten
• Ste铿�en Lorch: Herstellung, Charakterisierung und Anwendungen von ionenstrahlgesputterten optischen Schichten

2005

• Sven-Silvius Schad: Charakterisierung interner optischer Verluste von Leuchtdioden im InGaN-Materialsystem mit Hilfe integrierter Wellenleiter
• Torsten Sven Schaal: Kommunikation 眉ber Beleuchtungselemente von Kraftfahrzeugen
• Thomas Eduard Kibler: Integration von optischen Wellenleitern und optischen Bauelementen in konventionelle und planare Leitungss盲tze in Kraftfahrzeugen
• Eckart Gerster: Optisch gepumpte Halbleiter-Scheibenlaser in den Materialsystemen InGaAs/GaAs und GaAsSb/GaAs
• Manfred Mundbrod-Vangerow: Kantenemittierende Halbleiterlaser und Laserverst盲rker als hochbrillante Strahlquellen
• Christoph Eichler: Thermisches Management GaN-basierender Laserdioden

2004

• Marcus Andreas Scherer: Prozesstechnologie f眉r GaN-basierende Leuchtdioden
• Irene Ecker: Molekularstrahlepitaxie GaAs-basierender Mischungshalbleiter f眉r 1300 nm-nahe Laserdiodenemission
• Matthias Golling: Molekularstrahlepitaxie vertikal emittierender InGaAs-Laser-Strukturen mit periodischer Gewinnstruktur
• J眉rgen Joos: Technologien zur Realisierung langwellig emittierender Vertikallaserdiode

2003

• Safwat William Zaki Mahmoud: Static and Dynamic Transverse Mode Characteristics of Vertical-Cavity Surface-Emitting Semiconductor Lasers
• Thomas Kn枚dl: Mehrstu铿乬e Halbleiterlaserdioden mit Vertikalresonator
• Franz Eberhard: InGaAs/AlGaAs-Laserdioden mit trockenge盲tzten Resonatorspiegeln
• Eckard Deichsel: Design, Herstellung und Charakterisierung von kantenemittierenden Hochleistungs-Laserdioden mit verbesserten Strahleigenschaften
• Heiko Unold: Mode Control in Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Diodes
• Veit Schwegler: Herstellung und Charakterisierung von lichtemittierenden Dioden im AlGaInN-Materialsystem
• Felix Mederer, Optische Daten眉bertragung mit Vertikallaserdioden im Wellenl篓angenbereich von 650 bis 1550 nm

2002

• Stefan Bader: Entwicklung und Charakterisierung einer GaN-basierenden Laserdiode, Work performed at OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, Germany
• Safwat W.Z. Mahmoud: Static and dynamic transverse mode characteristics of vertical-cavity surface-emitting semiconductor lasers
• Michael Miller: Aufbautechnik, Leistungsskalierung und Strahlformung ober铿偯�chenemittierender Halbleiterlaser
• Gunther Steinle: Neuartige monolithische InAlGaAsN Vertikallaserdioden, Work performed at In铿乶eon Technologies AG, M眉nchen, Germany
• Roland J盲ger: Molekularstrahleptiaxie hoche铿儂ienter Leucht- und Laserdioden
• Ulrich Martin: Emissions- und Alterungsverhalten von transversal einmodigen, kantenemittierenden Halbleiter-Laserdioden

2001

• Wolfgang Schmid: Hoche铿儂iente Leuchtdioden mit lateralem Auskoppeltaper: Konzept, Herstellung und Eigenschaften
• Christoph Kirchner: Metallorganische Gasphasenepitaxie f眉r optoelektronische und elektronische Bauelemente im Materialsystem AlGaInN

2000

• Peter Schnitzer: Hochbitratige optische Daten眉bertragung mit selektiv oxidierten Vertikallaserdioden
• Markus Mayer: Reaktive Molekularstrahlepitaxie f眉r Leuchtdioden im InAlGaN-Materialsystem
• G眉nter Jost: Hochleistungs-Laserverst盲rker auf der Basis von InGaAs-AlGaAs-GaAs
• Stefan Morgot: Halbleiter-Trapezverst盲rker als Laserstrahlquellen hoher Brillanz
• Martin Grabherr: Ober铿偯�chenemittierende Leistungsdiodenlaser mit Vertikalresonator

1999

• J枚rg Heerlein: Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
• Christian Jung: Herstellung und Optimierung einmodiger selektiv oxidierter Vertikallaserdioden f眉r die Flip-Chip Technologie
• Hin Yiu Anthony Chung: Gasquellen-Molekularstrahlepitaxie von InGaAsP Mehrfach-Quantentopf Laserdioden f眉r den Wellenl盲ngenbereich von 1300 nm bis 1500 nm
• Dieter Wiedenmann: Dynamische Eigenschaften und Rauschen selektiv oxidierter Vertikallaserdioden
• Bernhard Weigl: Technologie und Charakterisierung hochef铿亃ienter InGaAs-Vertikallaserdioden
• Jochen Heinrich: Vertikallaser als optische Sendeelemente in Datenbussen f眉r den Einsatz in mobilen Systemen
• Arthur Pelzmann: Charakterisierung und Optimierung von Leuchtdioden auf der Basis von GaN

1998

• Gernot Reiner: Molekularstrahlepitaxie f眉r hochef铿亃iente Laserdioden mit Vertikalresonator
• Dirck Sowada: Material- und Proze脽technologien f眉r langwellige Laserdioden mit Vertikalresonator
• Klaus Faltin: Untersuchungen zur Nahfeldverteilung von Transversalmoden in Laserdioden mit Vertikalresonator

1997

• Ulrich Fiedler: Hochbitratige optische Nachrichten眉bertragung mit Vertikallaserdioden
• Zheng Dai: Numerical Simulation of High-Power Semiconductor Laser Amplifiers

1996:

• Thomas Kummetz: AlGaInAs/InP-Molekularstrahlepitaxie f眉r Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren und -Modulatoren
• Markus Sickm枚ller: Korrelations- und Zeitbereichsverfahren zur Untersuchung des Kurzzeitverhaltens optisch anregbarer Halbleiter-Strukturen
• Rainer Michalzik: Modellierung und Design von Laserdioden mit Vertikalresonator

1995

• Eberhard Zeeb: Planar Vertical Cavity Laser Diodes and Two-Dimensional Laser Diode Arrays for Optical Interconnects
• Bernd M枚ller: Emission Properties and High-Frequency Behavior of Vertical Cavity Laser Diodes for Optical Interconnects
• Andreas Fricke: Waveguide Integrated-Metal-Semiconductor-Metal Photodiodes and Modulators in InAlGaAs on InP Substrate for Optical Communications
• Christoph Rompf: Optoelectronic Devices Based on Organic Semiconductors